[Zurück]


Zeitschriftenartikel:

T. Aichinger, M. Nelhiebel, T. Grasser:
"Refined NBTI Characterization of Arbitrarily Stressed PMOS Devices at Ultra-low and Unique Temperatures";
Microelectronics Reliability, 53 (2013), 7; S. 937 - 946.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2013.03.007

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2014/JB2014_Grasser_1.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.