Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
W. Gös, M. Waltl, Y. Wimmer, G. Rzepa, T. Grasser:
"Advanced Modeling of Charge Trapping: RTN, 1/f noise, SILC, and BTI";
Vortrag: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD),
Yokohama, Japan (eingeladen);
09.09.2014
- 11.09.2014; in: "Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)",
(2014),
ISBN: 978-1-4799-5285-4;
S. 77
- 80.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2014.6931567
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2014/CP2014_Goes_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.