Zeitschriftenartikel:
A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
"Progress in Magnetoresistive Memory: Magnetic Tunnel Junctions with a Composite Free Layer";
International Journal of High Speed Electronics and Systems (eingeladen),
23
(2014),
3&4;
S. 1450014-1
- 1450014-15.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1142/S0129156414500141
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2014/JB2014_Makarov_2.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.