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Zeitschriftenartikel:

M. Capriotti, P. Lagger, C. Fleury, M. Oposich, O. Bethge, C. Ostermaier, G. Strasser, D. Pogany:
"Modeling small-signal response of GaN-based metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor gate stack in spill-over regime: Effect of barrier resistance and interface states";
Journal of Applied Physics, 117 (2015), 024506; S. 024506-1 - 024506-7.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1063/1.4905945

Elektronische Version der Publikation:
http://publik.tuwien.ac.at/files/PubDat_237562.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universitšt Wien.