Zeitschriftenartikel:
M. Capriotti, P. Lagger, C. Fleury, M. Oposich, O. Bethge, C. Ostermaier, G. Strasser, D. Pogany:
"Modeling small-signal response of GaN-based metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor gate stack in spill-over regime: Effect of barrier resistance and interface states";
Journal of Applied Physics,
117
(2015),
024506;
S. 024506-1
- 024506-7.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1063/1.4905945
Elektronische Version der Publikation:
http://publik.tuwien.ac.at/files/PubDat_237562.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.