[Zurück]


Zeitschriftenartikel:

N. Ghobadi, M. Pourfath:
"Vertical Tunneling Graphene Heterostructure-Based Transistor for Pressure Sensing";
IEEE Electron Device Letters, 36 (2015), 3; S. 280 - 282.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/LED.2014.2388452

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2014/JB2015_Pourfath_2.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.