Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
P. Sharma, S. E. Tyaginov, Y. Wimmer, F. Rudolf, K. Rupp, M. Bina, H. Enichlmair, J.M. Park, H. Ceric, T. Grasser:
"Predictive and Efficient Modeling of Hot-Carrier Degradation in nLDMOS Devices";
Vortrag: IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD),
Hong Kong, China;
10.05.2015
- 14.05.2015; in: "Proceedings of the IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)",
(2015),
ISBN: 978-1-4799-6259-4;
S. 389
- 392.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/ISPSD.2015.7123471
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2014/CP2015_Sharma_2.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.