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Zeitschriftenartikel:

Yu. Illarionov, M. Bina, S. E. Tyaginov, K. Rott, B. Kaczer, H. Reisinger, T. Grasser:
"Extraction of the Lateral Position of Border Traps in Nanoscale MOSFETs";
IEEE Transactions on Electron Devices, 62 (2015), 9; S. 2730 - 2737.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2015.2454433

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2015/JB2015_Illarionov_1.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.