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U. Schmid, A. Backes, T. Bohnenberger:
"Halbleiter-Bauteil";
Patent: Österreich, Nr. AT 514443 81 2015-03-15; eingereicht: 17.06.2013, erteilt: 15.03.2015.

Bei einem Halbleiter-Bauteil, ausgebildet auf einem
zumindest eine Device-Schicht und eine IsolatorSchicht
aufweisenden Halbleiter-Substrat,
gekennzeichnet durch zumindest eine HalbleiterKondensatorelektrode
in der Device-Schicht in Form
eines aus der Device-Schicht gebildeten porösen
Bereichs. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst
die folgende Schritte:
a) Bereitstellen eines Halbleiter-Substrats mit zumindest einer Device-Schicht und einer Isolator-Schicht
b) Herstellen zumindest eines porösen Bereichs in der Device-Schicht durch Metall- unterstütztes Ätzen
c) Umgeben des porösen Bereichs mit bis auf die Isolator-Schicht reichenden Trenches
d) Ankontaktieren des zumindest einen porösen Bereichs zur Ausbildung einer Halbleiter-Kondensatorelektrode in der Device-Schicht.

Bei einem Halbleiter-Bauteil, ausgebildet auf einem
zumindest eine Device-Schicht und eine IsolatorSchicht
aufweisenden Halbleiter-Substrat,
gekennzeichnet durch zumindest eine HalbleiterKondensatorelektrode
in der Device-Schicht in Form
eines aus der Device-Schicht gebildeten porösen
Bereichs. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst
die folgende Schritte:
a) Bereitstellen eines Halbleiter-Substrats mit zumindest einer Device-Schicht und einer Isolator-Schicht
b) Herstellen zumindest eines porösen Bereichs in der Device-Schicht durch Metall- unterstütztes Ätzen
c) Umgeben des porösen Bereichs mit bis auf die Isolator-Schicht reichenden Trenches
d) Ankontaktieren des zumindest einen porösen Bereichs zur Ausbildung einer Halbleiter-Kondensatorelektrode in der Device-Schicht.