Patents:
U. Schmid, A. Backes, T. Bohnenberger:
"Halbleiter-Bauteil";
Patent: Österreich,
No. AT 514443 81 2015-03-15;
submitted: 06-17-2013,
granted: 03-15-2015.
English abstract:
Bei einem Halbleiter-Bauteil, ausgebildet auf einem
zumindest eine Device-Schicht und eine IsolatorSchicht
aufweisenden Halbleiter-Substrat,
gekennzeichnet durch zumindest eine HalbleiterKondensatorelektrode
in der Device-Schicht in Form
eines aus der Device-Schicht gebildeten porösen
Bereichs. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst
die folgende Schritte:
a) Bereitstellen eines Halbleiter-Substrats mit zumindest einer Device-Schicht und einer Isolator-Schicht
b) Herstellen zumindest eines porösen Bereichs in der Device-Schicht durch Metall- unterstütztes Ätzen
c) Umgeben des porösen Bereichs mit bis auf die Isolator-Schicht reichenden Trenches
d) Ankontaktieren des zumindest einen porösen Bereichs zur Ausbildung einer Halbleiter-Kondensatorelektrode in der Device-Schicht.
German abstract:
Bei einem Halbleiter-Bauteil, ausgebildet auf einem
zumindest eine Device-Schicht und eine IsolatorSchicht
aufweisenden Halbleiter-Substrat,
gekennzeichnet durch zumindest eine HalbleiterKondensatorelektrode
in der Device-Schicht in Form
eines aus der Device-Schicht gebildeten porösen
Bereichs. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst
die folgende Schritte:
a) Bereitstellen eines Halbleiter-Substrats mit zumindest einer Device-Schicht und einer Isolator-Schicht
b) Herstellen zumindest eines porösen Bereichs in der Device-Schicht durch Metall- unterstütztes Ätzen
c) Umgeben des porösen Bereichs mit bis auf die Isolator-Schicht reichenden Trenches
d) Ankontaktieren des zumindest einen porösen Bereichs zur Ausbildung einer Halbleiter-Kondensatorelektrode in der Device-Schicht.
Created from the Publication Database of the Vienna University of Technology.