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Zeitschriftenartikel:

M. Meneghini, O. Hilt, C. Fleury, R. Silvestri, M. Capriotti, G. Strasser, D. Pogany, E. Bahat-Treidel, F. Brunner, A Knauer, J. Würfl, I. Rossetto, E. Zanoni, G. Meneghesso, I. Dalcanale:
"Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradation, forward gate-stress and ESD failure";
Microelectronics Reliability, 58 (2016), S. 177 - 184.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2015.11.026

Elektronische Version der Publikation:
http://publik.tuwien.ac.at/files/PubDat_249035.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universitšt Wien.