Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
T. Grasser, M. Waltl, Y. Wimmer, W. Gös, R. Kosik, G. Rzepa, H. Reisinger, G. Pobegen, A.-M. El-Sayed, A. Shluger, B. Kaczer:
"Gate-Sided Hydrogen Release as the Origin of "Permanent" NBTI Degradation: From Single Defects to Lifetimes";
Vortrag: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),
Washington, DC, USA;
07.12.2015
- 09.12.2015; in: "Proceedings of the IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)",
(2015),
S. 535
- 538.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/IEDM.2015.7409739
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2016/CP_2016_Grasser_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.