Zeitschriftenartikel:
Y. Wimmer, A.-M. El-Sayed, W. Gös, T. Grasser, A. Shluger:
"Role of Hydrogen in Volatile Behaviour of Defects in SiO2-Based Electronic Devices";
Proceedings of the Royal Society A - Mathematical, Physical and Engineering Sciences (eingeladen),
472
(2016),
2190;
S. 1
- 23.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1098/rspa.2016.0009
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2016/JB2016_wimmer_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.