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Zeitschriftenartikel:

Y. Wimmer, A.-M. El-Sayed, W. Gös, T. Grasser, A. Shluger:
"Role of Hydrogen in Volatile Behaviour of Defects in SiO2-Based Electronic Devices";
Proceedings of the Royal Society A - Mathematical, Physical and Engineering Sciences (eingeladen), 472 (2016), 2190; S. 1 - 23.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1098/rspa.2016.0009

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2016/JB2016_wimmer_1.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.