Zeitschriftenartikel:
G. Rescher, G. Pobegen, T. Grasser:
"Threshold Voltage Instabilities of Present SiC-Power MOSFETs Under Positive Bias Temperature Stress";
Materials Science Forum,
858
(2016),
S. 481
- 484.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.481
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2016/JB2016_grasser_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.