Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
V. Simonka, A. Hössinger, J. Weinbub, S. Selberherr:
"Three-Dimensional Growth Rate Modeling and Simulation of Silicon Carbide Thermal Oxidation";
Poster: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD),
Nürnberg, Deutschland;
06.09.2016
- 08.09.2016; in: "Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)",
(2016),
ISBN: 978-1-5090-0817-9;
S. 233
- 236.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2016.7605190
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2016/CP2016_Simonka_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.