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Zeitschriftenartikel:

V. Simonka, A. Hössinger, J. Weinbub, S. Selberherr:
"Growth Rates of Dry Thermal Oxidation of 4H-Silicon Carbide";
Journal of Applied Physics, 120 (2016), 13; S. 135705-1 - 135705-8.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1063/1.4964688

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2016/JB2016_simonka_1.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.