Zeitschriftenartikel:
V. Simonka, A. Hössinger, J. Weinbub, S. Selberherr:
"Growth Rates of Dry Thermal Oxidation of 4H-Silicon Carbide";
Journal of Applied Physics,
120
(2016),
13;
S. 135705-1
- 135705-8.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1063/1.4964688
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2016/JB2016_simonka_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.