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Zeitschriftenartikel:

M. Capriotti, E. Bahat-Treidel, C. Fleury, O. Bethge, C. Ostermaier, M. Rigato, S. Lancaster, F. Brunner, H. Detz, O. Hilt, J. Würfl, D. Pogany, G. Strasser:
"Effect of barrier recess on transport and electrostatic interface properties of GaN-based normally-off and normally-on metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistors";
Solid-State Electronics, 125 (2016), S. 118 - 124.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2016.07.009

Elektronische Version der Publikation:
http://publik.tuwien.ac.at/files/publik_252681.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universitšt Wien.