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U. Schmid, A. Backes, T. Bohnenberger:
"Double-Layer Capacitor Comprising A Porous Semiconductor Capacitor Electrode";
Patent: AT, No. Wo 2014/201488 A1; submitted: 07-17-2014, granted: 12-24-2014.

The invention relates to a semiconductor component formed on a semiconductor substrate comprising at least one
device layer and one insulating layer, said component being characterised by at least one semiconductor capacitor electrode in the
device layer configured in the form of a porous region formed in the device layer. The method according to the invention comprises
the following steps: a) providing a semiconductor substrate with at least one device layer and one insulating layer; b) creating at least
one porous region in the device layer by means of metal-assisted etching; c) surrounding the porous region with trenches extending
down to the insulating layer; and d) contacting the at least one porous region in order to form a semiconductor capacitor electrode in
the device layer.

Bei einem Halbleiter-Bauteil, ausgebildet auf einem zumindest eine Device-Schicht und eine Isolator-Schicht aufweisenden
Halbleiter-Substrat, gekennzeichnet durch zumindest eine Halbleiter-Kondensatorelektrode in der Device-Schicht in Form eines
aus der Device-Schicht gebildeten porösen Bereichs. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst die folgende Schritte: a)
Bereitstellen eines Halbleiter-Substrats mit zumindest einer Device-Schicht und einer Isolator-Schicht b) Herstellen zumindest
eines porösen Bereichs in der Device-Schicht durch Metallunterstütztes Ätzen c) Umgeben des porösen Bereichs mit bis auf die
Isolator-Schicht reichenden Trenches d) Allkontaktieren des zumindest einen porösen Bereichs zur Ausbildung einer HalbleiterKondensatorelektrode
in der Device-Schicht.