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Zeitschriftenartikel:

B. Kaczer, J. Franco, S. E. Tyaginov, M. Jech, G. Rzepa, T. Grasser, B.J. O´Sullivan, R. Ritzenhaler, T. Schram, A. Spessot, D. Linten, N. Horiguchi:
"Mapping of CMOS FET Degradation in Bias Space--Application to Dram Peripheral Devices";
Journal of Vacuum Science & Technology B, 35 (2017), 1; S. 01A109-1 - 01A109-6.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1116/1.4972872

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2017/JB2017_Tyaginov_1.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.