Zeitschriftenartikel:
M. Waltl, G. Rzepa, A. Grill, W. Gös, J. Franco, B. Kaczer, L. Witters, J. Mitard, N. Horiguchi, T. Grasser:
"Superior NBTI in High-k SiGe Transistors - Part I: Experimental";
IEEE Transactions on Electron Devices,
64
(2017),
5;
S. 2092
- 2098.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2017.2686086
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2017/JB2017_Waltl_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.