Zeitschriftenartikel:
R. Stradiotto, G. Pobegen, C. Ostermaier, M. Waltl, A. Grill, T. Grasser:
"Characterization of Interface Defects With Distributed Activation Energies in GaN-Based MIS-HEMTs";
IEEE Transactions on Electron Devices,
64
(2017),
3;
S. 1045
- 1052.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2017.2655367
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2017/JB2017_Waltl_3.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.