Zeitschriftenartikel:
Yu. Illarionov, T. Knobloch, M. Waltl, G. Rzepa, A. Pospischil, D.K Polyushkin, M. M. Furchi, T. Müller, T. Grasser:
"Energetic Mapping of Oxide Traps in MoS2 Field-Effect Transistors";
2D Materials,
4
(2017),
2;
S. 025108-1
- 025108-10.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/aa734a
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2017/JB2017_Illarionov_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.