Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
G. Rescher, G. Pobegen, T. Aichinger, T. Grasser:
"On the Subthreshold Drain Current Sweep Hysteresis of 4H-SiC nMOSFETs";
Vortrag: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),
San Francisco, CA, USA;
03.12.2016
- 07.12.2016; in: "Proceedings of the IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)",
(2016),
ISBN: 978-1-5090-3902-9;
S. 10.8.1
- 10.8.4.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/IEDM.2016.7838392
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2017/CP2017_Rzepa_06.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.