Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
V. Simonka, A. Hössinger, J. Weinbub, S. Selberherr:
"Modeling of Electrical Activation Ratios of Phosphorus and Nitrogen Doped Silicon Carbide";
Vortrag: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD),
Kamakura, Japan;
07.09.2017
- 09.09.2017; in: "Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)",
(2017),
ISBN: 978-4-86348-612-6;
S. 125
- 128.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.23919/SISPAD.2017.8085280
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2017/CP2017_Simonka_02.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.