Zeitschriftenartikel:
M. Rigato, C. Fleury, B. Schwarz, M. Mergens, S. Bychikhin, W. Simbürger, D. Pogany:
"Analysis of ESD Beheviour of Stacked nMOSFET RF Switches in Bulk Technology";
IEEE Transactions on Electron Devices,
65
(2018),
3;
S. 829
- 837.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2018.2789941
Elektronische Version der Publikation:
http://publik.tuwien.ac.at/files/publik_268593.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.