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Zeitschriftenartikel:

B. Kaczer, J. Franco, P. Weckx, Ph. J. Roussel, V. Putcha, E. Bury, M. Simicic, A. Chasin, D. Linten, B. Parvais, F. Catthoor, G. Rzepa, M. Waltl, T. Grasser:
"A Brief Overview of Gate Oxide Defect Properties and Their Relation to MOSFET Instabilities and Device and Circuit Time-Dependent Variability";
Microelectronics Reliability (eingeladen), 81 (2018), S. 186 - 194.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2017.11.022

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2018/JB2018_Rzepa_1.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.