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A. Würtz, U. Schmid, V. Ziegler:
"Integrierte Anordnung, ihre Verwendung und Verfahren zu ihrer Herstellung";
Patent: Deutschland, No. DE 10 2006 061 386 83; submitted: 12-23-2006, granted: 06-19-2008.

Integrierte Anordnung mit einem
Schaltkreis und einem MEMS-Schaltelement (500)
- bei der der Schaltkreis eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
(400) aufweist, die über metallische Leitbahnen
(1 01 ... 1 04, 201 ... 204, 301 ... 304) in mehreren übereinander
angeordneten Metallisierungsebenen (100, 200, 300) miteinander
zur Ausbildung des Schaltkreises verbunden
sind,
- bei der die Metallisierungsebenen (1 00, 200, 300) zwischen
dem MEMS-Schaltelement (500) und den Halbleiterbauelementen
(400) ausgebildet sind, so dass das
MEMS-Schaltelement (500) oberhalb der obersten Metallisierungsebene
(300) ausgebildet ist,
-bei der das MEMS-Schaltelement (500) beweglich ausgebildet
ist,
- das MEMS-Schaltelement (500) positioniert zu einem Dielektrikum
(26) ausgebildet ist, so dass das bewegliche
MEMS-Schaltelement (500) und das Dielektrikum (26) eine
veränderbare Impedanz (für ein Hochfrequenzsignal) bilden,
und
- bei der in der obersten Metallisierungsebene (300) eine
zum MEMS-Schaltelement (500) positionierte Antriebselektrode
(303) zur Erzeugung einer elektrostatischen Kraft
zur Bewegung des MEMS-Schaltelements (500) ausgebildet
ist.