Zeitschriftenartikel:
P. Sharma, S. E. Tyaginov, S. E. Rauch, J. Franco, A. Makarov, M. I. Vexler, B. Kaczer, T. Grasser:
"Hot-Carrier Degradation Modeling of Decananometer nMOSFETs Using the Drift-Diffusion Approach";
IEEE Electron Device Letters,
38
(2017),
2;
S. 160
- 163.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/LED.2016.2645901
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2017/JB2017_Tyaginov_2.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.