Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
J. Franco, V. Putcha, A. Vais, S. Sioncke, N. Waldron, D. Zhou, G. Rzepa, P. Roussel, G. Groeseneken, M. Heyns, N. Collaert, D. Linten, T. Grasser, B. Kaczer:
"Characterization of Oxide Defects in InGaAs MOS Gate Stacks for High-Mobility n-Channel MOSFETs";
Vortrag: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),
San Francisco, CA, USA (eingeladen);
02.12.2017
- 06.12.2017; in: "Proceedings of the IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)",
(2017),
4 S.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/IEDM.2017.8268347
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2018/CP2018_Franco_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.