Zeitschriftenartikel:
B. Stampfer, F. Zhang, Yu. Illarionov, T. Knobloch, P. Wu, M. Waltl, A. Grill, J. Appenzeller, T. Grasser:
"Characterization of Single Defects in Ultrascaled MoS2 Field-Effect Transistors";
ACS Nano,
12
(2018),
6;
S. 5368
- 5375.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.8b00268
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2018/JB2018_Stampfer_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.