Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
A. Toifl, V. Simonka, A. Hössinger, S. Selberherr, J. Weinbub:
"Steady-State Empirical Model for Electrical Activation of Silicon-Implanted Gallium Nitride";
Vortrag: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD),
Austin, Texas, USA;
24.09.2018
- 26.09.2018; in: "Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)",
(2018),
ISBN: 978-1-5386-6788-0;
S. 336
- 339.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2018.8551728
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2018/CP2018_Toifl_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.