Zeitschriftenartikel:
T. Knobloch, G. Rzepa, Yu. Illarionov, M. Waltl, F. Schanovski, B. Stampfer, M. M. Furchi, T. Müller, T. Grasser:
"A Physical Model for the Hysteresis in MoS2 Transistors";
IEEE Journal of the Electron Devices Society,
6
(2018),
1;
S. 972
- 978.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/JEDS.2018.2829933
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2018/JB2018_Knobloch_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.