Dissertationen (eigene und begutachtete):
G. Rescher:
"Behavior of SiC-MOSFETs under Temperature and Voltage Stress";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, P. Hadley, J. Cooper;
Institut für Mikroelektronik,
2018;
Rigorosum: 13.11.2018.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.34726/hss.2018.60783
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/rescher/
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.