Zeitschriftenartikel:
G. Rescher, G. Pobegen, T. Aichinger, T. Grasser:
"Comprehensive Evaluation of Bias Temperature Instabilities on 4H-SiC MOSFETs Using Device Preconditioning";
Materials Science Forum,
924
(2018),
S. 671
- 675.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.671
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2018/JB2018_Rescher_2.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.