Zeitschriftenartikel:
T. Sadi, C. Medina-Bailon, M. Nedjalkov, J. Lee, O. Badami, S. Berrada, H. Carillo-Nunez, V. Georgiev, S. Selberherr, A. Asenov:
"Simulation of the Impact of Ionized Impurity Scattering on the Total Mobility in Si Nanowire Transistors";
Materials,
12
(2019),
1;
S. 124-1
- 124-11.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.3390/ma12010124
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2018/JB2018_Sadi_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.