Zeitschriftenartikel:
A. Makarov, B. Kaczer, Ph. Roussel, A. Chasin, A. Grill, M. Vandemaele, G. Hellings, A.-M. El-Sayed, T. Grasser, D. Linten, S. E. Tyaginov:
"Stochastic Modeling of the Impact of Random Dopants on Hot-Carrier Degradation in n-FinFETs";
IEEE Electron Device Letters,
40
(2019),
6;
S. 870
- 873.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/LED.2019.2913625
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2019/JB2019_Makarov_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.