Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
A. Toifl, M. Quell, A. Hössinger, A. Babayan, S. Selberherr, J. Weinbub:
"Novel Numerical Dissipation Scheme for Level-Set Based Anisotropic Etching Simulations";
Vortrag: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD),
Udine, Italy;
04.09.2019
- 06.09.2019; in: "Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)",
(2019),
ISBN: 978-1-7281-0938-1;
S. 327
- 330.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2019.8870443
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2019/CP2019_Toifl_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.