Zeitschriftenartikel:
J. Berens, G. Pobegen, T. Eichinger, G. Rescher, T. Grasser:
"Cryogenic Characterization of NH3 Post Oxidation Annealed 4H-SiC Trench MOSFETs";
Materials Science Forum,
963
(2019),
S. 175
- 179.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.175
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2019/JB2020_Berens_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.