Zeitschriftenartikel:
J. Berens, G. Pobegen, G. Rescher, T. Aichinger, T. Grasser:
"NH3 and NO + NH3 Annealing of 4H-SiC Trench MOSFETs: Device Performance and Reliability";
IEEE Transactions on Electron Devices,
66
(2019),
11;
S. 4692
- 4697.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2019.2941723
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2019/JB2020_Berens_2.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.