Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
C. Schleich, J. Berens, G. Rzepa, G. Pobegen, G. Rescher, S. E. Tyaginov, T. Grasser, M. Waltl:
"Physical Modeling of Bias Temperature Instabilities in SiC MOSFETs";
Vortrag: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),
San Francisco, USA;
07.12.2019
- 11.12.2019; in: "Proceedings of the IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)",
(2019).
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/IEDM19573.2019.8993446
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2019/CP2019_Schleich_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.