Zeitschriftenartikel:
N. Oliva, Yu. Illarionov, E. Casu, M. Cavalieri, T. Knobloch, T. Grasser, A. Ionescu:
"Hysteresis Dynamics in Double-Gated n-Type WSe2 FETs With High-k Top Gate Dielectric";
IEEE Journal of the Electron Devices Society,
7
(2019),
S. 1163
- 1169.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/JEDS.2019.2933745
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2019/JB2020_Oliva_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.