Zeitschriftenartikel:
K. Puschkarsky, T. Grasser, T. Aichinger, W. Gustin, H. Reisinger:
"Review on SiC MOSFETs High-Voltage Device Reliability Focusing on Threshold Voltage Instability";
IEEE Transactions on Electron Devices (eingeladen),
66
(2019),
11;
S. 4604
- 4616.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2019.2938262
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2019/JB2020_Puschkarsky_2.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.