Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
M. Waltl:
"Characterization and Modeling of Single Charge Trapping in MOS Transistors";
Vortrag: IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW),
South Lake Tahoe, CA, USA (eingeladen);
13.10.2019
- 17.10.2019; in: "Proceedings of the IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW)",
(2019),
S. 1
- 9.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/IIRW47491.2019.8989880
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2019/CP2019_Waltl_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.