Zeitschriftenartikel:
M. Waltl:
"Ultra-Low Noise Defect Probing Instrument for Defect Spectroscopy of MOS Transistors";
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability (eingeladen),
20
(2020),
2;
S. 242
- 250.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TDMR.2020.2988650
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2020/JB2020_Waltl_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.