Zeitschriftenartikel:
M. Waltl, B. Stampfer, G. Rzepa, B. Kaczer, T. Grasser:
"Separation of Electron and Hole Trapping Components of PBTI in SiON nMOS Transistors";
Microelectronics Reliability,
114
(2020),
S. 113746-1
- 113746-5.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2020.113746
Elektronische Version der Publikation:
https://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2020/JB2020_Waltl_3.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.