Dissertationen (eigene und begutachtete):
K. Waschneck:
"Modeling Bias Temperature Instability in Si and SiC MOSFETs using Activation Energy Maps";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, J. Schmitz, S. Reggiani;
Institut für Mikroelektronik,
2020;
Rigorosum: 07.12.2020.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.34726/hss.2020.84645
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.