J. Berens:
"Carrier Mobility and Reliability of 4H-SiC Trench MOSFETs";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, J. Cooper, P. Pichler;
Institut für Mikroelektronik,
2020;
Rigorosum: 22.12.2020.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)