Zeitschriftenartikel:
M. Feil, A. Huerner, K. Puschkarsky, C. Schleich, T. Eichinger, W. Gustin, H. Reisinger, T. Grasser:
"The Impact of Interfacial Charge Trapping on the Reproducibility of Measurements of Silicon Carbide MOSFET Device Parameters";
Crystals (eingeladen),
10
(2020),
12;
S. 1143-1
- 1143-14.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.3390/cryst10121143
Elektronische Version der Publikation:
https://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2020/JB2020_Feil_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.