Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
K. Tselios, B. Stampfer, J. Michl, E. Ioannidis, H. Enichlmair, M. Waltl:
"Distribution of Step Heights of Electron and Hole Traps in SiON nMOS Transistors";
Vortrag: IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW),
South Lake Tahoe, CA, USA - virtual;
04.10.2020
- 08.10.2020; in: "Proceedings of the International Integrated Reliability Workshop (IIRW)",
(2020),
S. 1
- 6.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/IIRW49815.2020.9312871
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2020/CP2020_Tselios_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.