[Zurück]


Zeitschriftenartikel:

T. Knobloch, Yu. Illarionov, F. Ducry, C. Schleich, S. Wachter, K. Watanabe, T. Taniguchi, T. Müller, M. Waltl, M. Lanza, M. I. Vexler, M. Luisier, T. Grasser:
"The Performance Limits of Hexagonal Boron Nitride as an Insulator for Scaled CMOS Devices Based on Two-Dimensional Materials";
Nature Electronics, 4 (2021), 2; S. 98 - 108.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1038/s41928-020-00529-x

Elektronische Version der Publikation:
https://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2021/JB2021_Knobloch_1.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.