Zeitschriftenartikel:
A. Toifl, F. Rodrigues, L.F. Aguinsky, A. Hössinger, J. Weinbub:
"Continuum Level-Set Model for Anisotropic Wet Etching of Patterned Sapphire Substrates";
Semiconductor Science and Technology,
36
(2021),
4;
S. 045016-1
- 045016-12.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/abe49b
Elektronische Version der Publikation:
https://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2021/JB2021_Toifl_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.